Продолжительность: 2,0 дн.
Содержание курса:
- 2D- и 3D-постановка.
- Фундаментальные принципы экстракции паразитных параметров распределенных структур.
- Работа с графическим редактором в 2D- и 3D-режимах.
- Библиотеки материалов.
- Настройка свойств материалов.
- Типы граничных условий.
- Способы задания истоков, стоков, сигнальных линий, земли и плавающих потенциалов.
- Типы задания на расчет в программе Q2D и Q3D Extractor.
- Пост-процессорная обработка: распределение полей, токов, потенциалов.
- Формирование схем замещения в форматах Berkeley SPICE (*.bsp), в виде RLCG-параметров схемы замещения; W-элементов; формирование S-матриц в Touchstone-формате.
- Запись эквивалентных параметров RLCG-схем в форматах ANSYS.