Материалы по тегу «Ansys SIwave»

Видеоурок МС 1313. Часть 2. Данный видео урок является введением в ANSYS SIWave и дает первичное знакомство с программой электромагнитного моделирования печатных плат на примере простейшей конструкции. Уровень - начальный. Во второй части производится анализ и осуществляется пост-процессорная обработка результатов. Рассматривается коэффициенты передачи между входом и выходом двух тестируемых сигнальных линий |S21|. Оценивается вклад резонансов, возникающих между полигонами системы питания Power/GND, на коэффициент передачи |S21|. Оценивается импеданс |Z| шины питания (полигоны Power/GND) и его рост в высокочастотной области. Вводится понятие 'целевого импеданса' |Z|. Проанализировано влияние шунтирующих емкостей, располагаемых в близи VIA-переходов, на 'целевой импеданс' (изменяется только номиналы идеальных емкостей). Получено распределение напряжения между полигонами Power/GND и значение напряжения в пробнике как функция от частоты единичного источника. Андрей Геттих

Видеоурок МС 1313. Данный видео урок является введением в ANSYS SIWave и дает первичное знакомство с программой электромагнитного моделирования печатных плат на примере простейшей конструкции. Уровень - начальный. В первой части дается представление об интерфейсе программы и редакторе модели; задания и редактирования стека слоев; под-стэка VIA-переходов и посадочных мест компонентов на печатной плате; основных методов расчета, доступных в программе SIWave; На примере тестовой создается проект с «0»: - создание полигонов системы распределения питания Power/GND на соответствующих слоя, редактирование их свойств; - рисование сигнальных линий трассировок цепей на сигнальных слоях; - добавление VIA-отверстий, соединяющие цепи и систему питания; - задание СВЧ портов, источников напряжения единичной амплитуды, установка пробников по напряжению в контрольных точках, добавление дискретных элементов цепи Power в проект ПП; - типы проверок модели SIWave на ошибки Validation Check и настройки на расчет SIWave Option; - рассматриваются основные типы расчетов в программе SIWave (анализ на резонансы, анализ в полосе частот при возбуждении источником напряжения, анализ на экстракцию SYZ-параметров, … ). Андрей Геттих

Видеоурок МС 1314. Видео-урок выполнен в форме "советы и тонкости работы". Описание: В данном видео-уроке показывается, как создать именованную группу пинов (PinGroup) на соответствующих контактах ИС. Рассматривается несколько способов: - Создание группы пинов по габаритным контурам выбранных IC; - Создание группы пинов, выбрав непосредственно зону контактов IC; - Создание группы пинов через инструмент управление ‘Pin Group Manager’ - Создание группы пинов для группы разных компонентов. Так же, в данном видео-уроке, говорится о том, как используя редактор подстека 'Padstack Editor' в ANSYS SIWave v7 отредактировать профиль зоны контакта на печатной плате (т.н. PAD), к которой подключается соответствующие выводы ИС и других компонентов платы. Проект топологию печатной платы и базу компонентов цепи импортируют в программу SIWave v7 через файл нейтрального формата *.ANF (формат ANSYS Neutral Files) и файл компонентов *.CMP (Component File). Уровень – продолжающий. Продолжительность: 40мин Андрей Геттих

Введение в ANSYS SIWave. Уровень – начальный. Показывается применение программы ЭМ моделирования ANSYS SIWave на 4х тестовых примерах (модели микрополосковой линии) для получения их TDR-характеристик при анализе в частотной области. Дается первичное знакомство с пакетом ANSYS SIwave. Рассматривается работа со стеком слоев, подстэком межслойных отверстий (т.н. VIA-переходов). Показана работа с графическим редактором (рисование моделей сигнальных линий, полигонов земли/питания). Назначение СВЧ-портов. Настройки моделирования в частотной области для получения SYZ-параметров и FWS-модели цепи (*.sp – файл в формате HSPICE). После результатам ЭМ моделирования, передаются Sii-параметры в утилиту SIWave Reporter и получаются TDR-характеристики. Дано сравнение двух типов задания на ЭМ расчет в частотной области (с верхней частотой анализа равной или меньшей частоте отсечки Fknee). Анализ результатов и оценка влияния неоднородностей (скачков импеданса, наличия неоднородностей в виде VIA-перехода … ) на характер TDR-параметра. Продолжительность: 55 мин. Андрей Геттих